Das Know How von ATPE in der Leistungselektronik und Treiber Technologie ermöglicht Abläufe, Strategien und Lösungswege für die Elektronik.

Die SiC MOSFET Treibertechnologie von ATPE verkürzt die Entwicklungszeit von Baugruppen der Leistungselektronik:

• das Treibermodul benötigt nur wenige externe Komponenten auf der Leistungsseite
• positive und negative Gate-Spannung ohne zusätzliche Spannungsversorgung auf der Leistungsseite
• SiC Treiber mit Active Miller Clamp Function

ATPE entwickelt Hochfrequenz-Leistungsbaugruppen mit SiC MOSFETs für die induktive Erwärmung.

• SiC MOSFETs mit Treiber
• Leistung von 50kW/100kW
• Parallelschaltung der Baugruppen für höhere Leistung möglich
• Frequenzbereich bis 1,3 MHz

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