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ATPE GmbH liefert SiC MOSFET Treibermodule für den Einsatz in neuen Leistungsbaugruppen

Die neuen Leistungsbaugruppen mit SiC MOSFET Technologie für den Einsatz in der Elektromobilität, der Antriebstechnik und bei Energiespeichersystemen werden von der Firma DHG Engineering GmbH entwickelt und vertrieben

Die neuen Leistungsbaugruppen sind kompakt und haben durch den Einsatz von SiC MOSFET Modulen einen sehr hohen Wirkungsgrad. Die Leistungsbaugruppen werden in 2 Ausführungen angeboten:

Als H-Brücke für den Einsatz in Power Netzteilen und dreiphasig für den Einsatz in der Antriebstechnik und für Netzanwendungen.

Der Leistungsbereich liegt zwischen 10kW und 100kW. Die Leistungsbaugruppen können mit einer Schaltfrequenz bis 100kHz angesteuert werden. Eine spezielle Ausführung ermöglicht auch höhere Schaltfrequenzen.

 

Neue SiC MOSFET Treiber von ATPE

Treiber ATPE-TRA und ATPE-TRB mit Active Miller Clamp Function

Typ: ATPE-TRA

  • Ansteuerung von SiC MOSFETs mit hoher Betriebsspannung bis 3,3kV
  • Frequenz bis 400kHz
  • Kriechstrecke / Luftstrecke: 60mm
  • Muster ab Februar 2020 verfügbar

Typ: ATPE-TRB

  • Ansteuerung von SiC MOSFETs mit sehr hoher Betriebsspannung bis 15kV
  • Kriechstrecke / Luftstrecke: kundenspezifisch
  • Muster auf Anfrage

 

Datasheet ATPE-TRA auf der Seite High Voltage SiC MOSFET Treiber verfügbar

 

Mit den neuen Treibermodulen kann der SiC MOSFET in einer Applikation sofort verwendet werden

  • Reduzierung der Ausschaltverluste Eoff durch hohe Flankensteilheit der Gate-Source Spannung im Nulldurchgang
  • kompaktes und vergossenes Modul
  • nur ein Übertrager für den Ein- und Ausschaltvorgang
  • Erzeugung der Impulse im Treiber ohne FPGA

 

Fachartikel aus der Zeitung Elektronik power Oktober 2018

SiC optimal ansteuern

PDF Datei  dat. 16.10.2018 / 1,2MB

 

 

 

 

 

 

Apparatebau für technische Physik und Elektronik

 

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