Eigenschaften der SiC MOSFET Treiber:                                                           

• Schaltfrequenz bis über 1MHz
• geeignet für eine Gesamtladung bis 2000nC
• Ausgangsstrom bis 40A
• sehr hohe Flankensteilheit der Gate-Source Spannung im Nulldurchgang
• Tastverhältnis 0 bis 100%
• Gate-Spannung: 15V bis 18V / off: dynamisch -3V/ -5V   / statisch 0V/ -3V bis -5V
• keine Limitierung der Spannungssteilheit über der Trennstrecke
• sehr geringe Über- und Unterschwinger beim Umschalten
• keine zusätzliche Spannungsversorgung auf der Leistungsseite 
• Isolation durch Planar Übertrager
• Betriebsspannung über 10kV möglich
• Kriechstrecke 10mm (größere Werte kundenspezifisch möglich)
• Temperaturbereich -40°C / +85°C (bis 125°C möglich)

SiC MOSFET Treiber bis 400kHz:

• der Treiber bis 400kHz hat eine maximale Gate-Ladung
• weitere Informationen unter info.products@atpe.de

SiC MOSFET Treiber über 400kHz:

• wir bieten kundenspezifische Treiber für SiC MOSFET über 400kHz an
• welche Frequenz und welche Gate-Ladung brauchen Sie?
• weitere Informationen unter info.products@atpe.de