Aktuelles von ATPE
ATPE GmbH liefert SiC MOSFET Treibermodule für den Einsatz in neuen Leistungsbaugruppen
Die neuen Leistungsbaugruppen mit SiC MOSFET Technologie für den Einsatz in der Elektromobilität, der Antriebstechnik und bei Energiespeichersystemen werden von der Firma DHG Engineering GmbH entwickelt und vertrieben
Die neuen Leistungsbaugruppen sind kompakt und haben durch den Einsatz von SiC MOSFET Modulen einen sehr hohen Wirkungsgrad. Die Leistungsbaugruppen werden in 2 Ausführungen angeboten:
Als H-Brücke für den Einsatz in Power Netzteilen und dreiphasig für den Einsatz in der Antriebstechnik und für Netzanwendungen.
Der Leistungsbereich liegt zwischen 10kW und 100kW. Die Leistungsbaugruppen können mit einer Schaltfrequenz bis 100kHz angesteuert werden. Eine spezielle Ausführung ermöglicht auch höhere Schaltfrequenzen.
Neue SiC MOSFET Treiber von ATPE
Treiber ATPE-TRA und ATPE-TRB mit Active Miller Clamp Function
Typ: ATPE-TRA
- Ansteuerung von SiC MOSFETs mit hoher Betriebsspannung bis 3,3kV
- Frequenz bis 400kHz
- Kriechstrecke / Luftstrecke: 60mm
Typ: ATPE-TRB
- Ansteuerung von SiC MOSFETs mit sehr hoher Betriebsspannung bis 15kV
- Kriechstrecke / Luftstrecke: kundenspezifisch
- Muster auf Anfrage
Datasheet ATPE-TRA auf der Seite High Voltage SiC MOSFET Treiber verfügbar
Mit den neuen Treibermodulen kann der SiC MOSFET in einer Applikation sofort verwendet werden
- Reduzierung der Ausschaltverluste Eoff durch hohe Flankensteilheit der Gate-Source Spannung im Nulldurchgang
- kompaktes und vergossenes Modul
- nur ein Übertrager für den Ein- und Ausschaltvorgang
- Erzeugung der Impulse im Treiber ohne FPGA
Apparatebau für technische Physik und Elektronik
Kontakt :
ATPE GmbH
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